VBsemi(微碧半导体)China
XP162A12A6PR-VB
Transistors - FETs, MOSFETs - Single台积电流片，长电科技封装；是一款单通道功率场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于电源管理、LED驱动和医疗设备等多种领域的模块中。SOT89-3；P—Channel沟道,-30V；-5.8A；RDS(ON)=50mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-2.5V；
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Key specs
ChannelP-channel
Drain-source voltage30 V
Continuous drain current6 A
| Power | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 连续漏极电流(Id) | 6A |
| Other | |
| 数量 | 1个P沟道 |
| 耗散功率(Pd) | 3.5W |