HXY MOSFET(华轩阳电子)China
WNSC6D06650Q-HXY
Single Diodes该碳化硅二极管采用独立式配置，额定正向电流为6A，反向重复峰值电压为650V，典型正向压降为1.36V，并能承受高达66A的非重复浪涌正向电流。得益于碳化硅材料的物理特性，器件在高频工作条件下表现出低导通损耗和优异的热稳定性，适用于高效率电源转换、功率因数校正电路以及对体积和散热有严苛要求的电力电子系统。
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Key specs
Reverse voltage650 V
Average rectified current22.3 A
Forward voltage1.36 VMax · 6A
| Power | |
|---|---|
| 整流电流 | 22.3A |
| Other | |
| 二极管配置 | 1个独立式 |
| 正向压降(Vf) | 1.36V@6A |
| 直流反向耐压(Vr) | 650V |