HXY MOSFET(华轩阳电子)China

此款碳化硅二极管设计有40A的额定正向电流（IF/A），并支持高达1200V的反向电压（VR/V），适用于要求严苛的高电压应用环境。其正向电压降（VF/V）为1.5V，在大电流操作下可维持较低的功率损耗。该二极管的反向漏电流（IR/uA）控制在200微安，展示出较强的绝缘性能。瞬时峰值电流（IFSM/A）可达130A，确保了在突发电流情况下的安全性和可靠性，适用于要求快速开关特性和高能效的设计中。