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Technical parameters

Power
IC(100℃)-最大集电极电流450A
ICM-集电极峰值电流900A
IC-集电极直流电流(100℃)450A
IF-二极管正向电流450A
VCE(sat)-集射极导通饱和电压1.5V
VCES-集射极阻断电压650V
VRRM-反向重复峰值电压2V
二极管正向电压2V
二极管正向电流450A
最大允许功耗2500W
隔离电压2500V
Environment and package
隔离电压等级2500V
Other
Eoff-关断损耗能量15.5mJ
Eon-开通损耗能量5.4mJ
IGBT集成二极管0
Pd-功率耗散2500W
Qg-栅极电荷NnC
VCE(sat)-集射级饱和压降1.5V
VGES(th)-门极发射极阈值7V
Vge(th)-门极发射极阈值7V
关断损耗能量15.5mJ
内置整流二极管0
内置整流桥堆0
单位温升0.06℃/W
宽62mm
宽度62mm
开通损耗能量5.4mJ
栅极充电电荷NnC
长152mm
长度152mm
隔离型IGBT0
集成整流桥堆0
高20.8mm
高度20.8mm

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