MSKSEMI(美森科)China
单片集成高耐压、大电流达林顿管阵列，电路内部包含八个独立的达林顿管驱动单路。电路内部设计有钳位二极管，VIN(ON)输入电压IOUT =300mA@1.9V-3.0V,低电平有效输入电压IOUT =100mA, IIN =250μA@0.85V-1.1V
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| Power | |
|---|---|
| 最大输入电压(VI) | 30V |
| 通道数 | 八路 |
| 集电极电流(Ic) | 500mA |
| Environment and package | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ |