HXY MOSFET(华轩阳电子)China

【联系：sales@hxymos.com】该N沟道场效应管（MOSFET）具有40A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）低至5毫欧。器件采用标准封装结构，适用于对导通损耗和效率要求较高的电源管理场景。其低RDS(ON)特性有助于减少发热，提升系统整体能效，适合用于中低压开关电路、电池供电设备及各类高效能电子模块中的功率控制与切换功能。