HXY MOSFET(华轩阳电子)China
Si2312BDS-T1-GE3-HXY
Transistors - FETs, MOSFETs - SingleSi2312BDS-T1-GE3 是一款高性能N沟道MOSFET，采用紧凑型SOT-23封装，专为高集成度和低功耗应用设计。器件具有20V的最大漏源电压(VDSS)，并可承受3A的连续漏极电流(ID)，凭借其卓越的23mΩ导通电阻(RD(on))，在保证高效率的同时有效降低功耗。广泛应用于电源转换、负载开关、电池保护等电路中，是实现小型化、节能电子设备的理想半导体元件。
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Key specs
ChannelN-channel
Drain-source voltage20 V
Continuous drain current3 A
On-resistance35 mΩMax · 4.5V
| Power | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 20V |
| 连续漏极电流(Id) | 3A |
| Other | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 35mΩ@4.5V |
| 数量 | 1个N沟道 |