HXY MOSFET(华轩阳电子)China
STS4DNF60L-HXY
Transistors - FETs, MOSFETs - Single此款MOS管型号为STS4DNF60L ，采用紧凑型SOP-8封装，适合高密度电路板设计。其内部结构为高性能N+N沟道，能在60V的额定电压下稳定工作，提供高达6.5A的连续输出电流。尤其值得一提的是，该器件具有超低的导通电阻仅为32mΩ，能有效降低功耗，提升系统效率，是电源管理、电机驱动等应用的理想选择。
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View full reportTechnical parameters
Key specs
ChannelN-channel
Drain-source voltage60 V
Continuous drain current6.5 A
| Power | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 60V |
| 连续漏极电流(Id) | 6.5A |
| Other | |
| 数量 | 2个N沟道 |