HXY MOSFET(华轩阳电子)China
STD30NF06LT4-HXY
Transistors - FETs, MOSFETs - SingleSTD30NF06LT4 型号N沟道MOS管，采用经典TO-252-2L封装，以其紧凑尺寸和良好散热性能深受市场青睐。器件标称电压VDSS高达60V，峰值电流ID可达30A，凸显出强大的电流处理能力。导通电阻仅为22mR，有效保障了在高功率应用中的能源效率与系统性能。此款MOS管适用于电源转换、负载开关、电机驱动等多元场景，出厂前完成严谨质量检测，确保其能在各种严苛条件下稳定工作，发挥出色性能。
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Key specs
ChannelN-channel
Drain-source voltage60 V
Continuous drain current30 A
On-resistance26 mΩMax · 10V
| Power | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 60V |
| 连续漏极电流(Id) | 30A |
| Other | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 26mΩ@10V |
| 数量 | 1个N沟道 |