VBsemi(微碧半导体)China
SSP45N20B-VB
Transistors - FETs, MOSFETs - Single台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道MOSFET，采用Trench技术，适合用于电动汽车充电桩中的充电模块。TO220；N—Channel沟道,200V；50A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=15V,VGS=25V；Vth=3.5~5V；
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Key specs
ChannelN-channel
Drain-source voltage200 V
Continuous drain current50 A
On-resistance46 mΩMax · 15V
| Power | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 200V |
| 连续漏极电流(Id) | 50A |
| Other | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 46mΩ@15V |
| 数量 | 1个N沟道 |