HXY MOSFET(华轩阳电子)China

这款肖特基二极管具备5A的正向电流（IF）与200V的反向电压（VR），适用于高频、高效率的电路设计中。其较低的正向压降（VF）为0.92V，有助于减少导通时的功率损耗。反向漏电流（IR）仅为20微安，表明在阻断状态下的电流泄漏极小。该二极管还拥有150A的瞬时峰值正向浪涌电流能力（IFSM），使其能够在需要处理瞬间大电流冲击的应用中表现出色，例如在开关电源或高速整流场景中，可以确保电路的稳定性和可靠性。