HXY MOSFET(华轩阳电子)China

该肖特基二极管采用独立式配置，额定正向电流为3A，最大反向电压为60V。其正向压降典型值为0.7V，在导通状态下具有较低的功耗表现；反向漏电流为100μA，表现出良好的反向阻断特性。器件可承受高达80A的非重复峰值正向浪涌电流，适用于对效率和响应速度要求较高的电源整流、开关模式电源输出级以及高频续流等应用场景。