HXY MOSFET(华轩阳电子)China

本产品为静电和浪涌保护器件（TVS/ESD），适用于需要高可靠性电路保护的场景。其峰值脉冲电流IPP为9.3A，反向工作电压VRWM为200V，击穿电压VBR范围为224.00~247.00V，钳位电压VC为324V，采用单向（Uni）结构设计。该器件可有效吸收瞬态电压冲击，保障后级电路稳定运行，广泛用于通信设备、消费电子及精密仪器等领域中的敏感电路保护。