HXY MOSFET(华轩阳电子)China

该TVS/ESD保护器件采用Bi双向结构，适用于各类电子设备中静电和浪涌的防护需求。其最大峰值脉冲电流IPP为10.3A，在反向工作电压VRWM为180V下可稳定运行，击穿电压VBR范围为201.00~222.00V，能够在异常电压条件下快速响应并提供稳定的保护性能。钳位电压VC为292V，有效抑制瞬态过电压，降低对后续电路的影响。该器件常用于通信模块、消费类电子产品及精密控制单元中，为敏感电路提供高效、可靠的保护方案。