HXY MOSFET(华轩阳电子)China

该静电和浪涌保护器件采用Bi双向设计，适用于高可靠性电路保护场合。其反向工作电压（VRWM）为17V，击穿电压（VBR）范围为18.90~20.90V，钳位电压（VC）为27.6V，能够有效抑制异常高压脉冲，保障后级电路安全。最大峰值脉冲电流（IPP）可达108.7A，具备优异的瞬态响应能力与能量吸收性能，适用于多种通用电子设备中的信号线或电源线保护。