HXY MOSFET(华轩阳电子)China

该TVS/ESD保护器件采用Bi双向设计，适用于高精度电子系统中的静电和浪涌防护。其最大峰值脉冲电流IPP为10.9A，在反向工作电压VRWM为170V时可稳定运行，击穿电压VBR范围为189.00~209.00V，确保在异常电压条件下快速响应并提供可靠保护。钳位电压VC为275V，有效限制瞬态过电压，减少对后级电路的损害。该器件广泛应用于通信设备、消费类电子产品及精密仪器中，为敏感电路提供高效、稳定的保护方案。