HXY MOSFET(华轩阳电子)China
本产品为静电和浪涌保护器件(TVS/ESD),适用于需要高可靠性电路保护的场景。其最大峰值脉冲电流IPP为10.9A,反向工作电压VRWM为170V,击穿电压VBR范围为189.00~209.00V,钳位电压VC为275V,采用单向(Uni)设计,能够有效吸收瞬态高压脉冲,防止敏感电子元件受到静电放电或浪涌电压的损害。该器件广泛应用于通信设备、消费类电子产品及电源管理系统中,提供稳定且快速的电压抑制能力,保障系统运行的安全性与稳定性。
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View full reportTechnical parameters
| Environment and package | |
|---|---|
| 封装 | SMC |
| Other | |
| IPP | 10.9A |
| TYPE | Uni单向 |
| VBR | 189.00~209.00V |
| VC | 275V |
| VRWM | 170V |