HXY MOSFET(华轩阳电子)China

该静电和浪涌保护器件采用单向结构，具备11.6A的峰值脉冲电流（IPP）能力，可有效吸收瞬态过电压能量。其最大反向工作电压（VRWM）为160V，击穿电压（VBR）范围为178.00~197.00V，响应迅速，能够在电压异常时及时导通并泄放电流。钳位电压（VC）为259V，确保后级电路免受高压冲击。适用于各类对电压敏感的电子设备中，可用于通信系统、消费类电子产品等的信号线或电源线路保护，提升系统的稳定性和抗干扰能力。