HXY MOSFET(华轩阳电子)China

该双向静电和浪涌保护器件专为高灵敏度电子系统设计，提供可靠的瞬态电压防护。其反向工作电压（VRWM）为13V，击穿电压（VBR）范围为14.40~15.90V，钳位电压（VC）为21.5V，在遭遇静电放电或浪涌冲击时可迅速导通，限制电压并保护电路安全。额定脉冲电流（IPP）达139.5A，具备出色的抗瞬态冲击能力，适用于通信接口、消费类电子产品及精密电源线路中的过压保护应用。