HXY MOSFET(华轩阳电子)China

该静电和浪涌保护器件采用单向设计，具备14.4A的峰值脉冲电流（IPP）能力，可有效吸收瞬态能量。其最大反向工作电压（VRWM）为130V，在击穿电压（VBR）范围内（144.00~159.00V）内实现快速响应，钳位电压（VC）为209V，确保后级电路免受高压脉冲损害。适用于对电压敏感的电子设备中，用于提升系统的稳定性和可靠性，广泛应用于通信、消费类电子等领域中的信号接口或电源线路保护。