HXY MOSFET(华轩阳电子)China

该双向静电和浪涌保护器件适用于各类敏感电子设备的瞬态电压防护。其反向工作电压（VRWM）为12V，击穿电压（VBR）范围为13.30~14.70V，钳位电压（VC）为19.9V，能够在静电放电或浪涌事件中快速响应并限制电压，保护后级电路不受损坏。额定脉冲电流（IPP）达150.8A，具备优异的抗冲击性能，广泛用于通信模块、便携式设备及电源接口等应用场景中的过压保护。