HXY MOSFET(华轩阳电子)China

本产品为静电和浪涌保护器件（TVS/ESD），适用于需要稳定电路保护的多种场景。其反向截止电压VRWM为12V，击穿电压范围VBR为13.30~14.70V，钳位电压VC为19.9V，在瞬态电压干扰下可快速响应并限制电压，保障后级电路安全。单向（Uni）结构设计有助于提升信号传输的稳定性。最大峰值脉冲电流IPP为150.8A，具备较强的瞬态能量吸收能力，能够有效抑制静电放电及浪涌冲击，广泛应用于对电路可靠性有较高要求的设备中。