HXY MOSFET(华轩阳电子)China

该双向静电和浪涌保护器件具备优异的瞬态电压抑制能力，适用于各类对静电放电和浪涌敏感的电路系统。其峰值脉冲电流（IPP）为15.5A，反向工作电压（VRWM）为120V，击穿电压（VBR）范围为133.00至147.00V，钳位电压（VC）为193V，能够在高压瞬变条件下提供快速响应与稳定保护。该器件常用于通信接口、消费类电子及高精度控制电路中，有效提升系统的电磁兼容性与运行可靠性，适用于多类型终端设备的电路防护需求。