HXY MOSFET(华轩阳电子)China

该静电和浪涌保护器件为单向TVS/ESD二极管，额定峰值脉冲电流（IPP）为15.5A，具备良好的瞬态电压抑制能力。其反向工作电压（VRWM）为120V，击穿电压（VBR）范围为133.00~147.00V，可在过压事件中迅速导通，并将钳位电压（VC）维持在193V，有效保护电路免受静电及浪涌冲击。适用于各类对电压稳定性要求较高的电子设备中，提升系统运行的安全性与可靠性。