HXY MOSFET(华轩阳电子)China

本产品为静电和浪涌保护器件（TVS/ESD），适用于需要高效电路保护的场景。其反向截止电压VRWM为11V，击穿电压范围VBR为12.20~13.50V，钳位电压VC为18.2V，确保在异常电压条件下有效保护后级电路。单向（Uni）设计适合对信号完整性要求较高的应用场合。最大峰值脉冲电流IPP为164.8A，具备较强的瞬态能量吸收能力，能够快速响应并抑制静电及浪涌干扰，保障设备运行稳定性。