HXY MOSFET(华轩阳电子)China

该静电和浪涌保护器件为双向TVS二极管，适用于各类需要高效抑制静电放电及瞬态电压的电路环境。其工作峰值脉冲电流（IPP）为16.9A，反向工作电压（VRWM）为110V，击穿电压（VBR）范围在122.00至135.00V之间，钳位电压（VC）为177V，能够在瞬态高压事件中快速响应并提供稳定保护。该器件广泛应用于通信设备、消费类电子产品及精密仪器中，有效提升系统的电磁兼容性和运行稳定性。