HXY MOSFET(华轩阳电子)China

该静电和浪涌保护器件为单向TVS/ESD二极管，具备16.9A的峰值脉冲电流（IPP）耐受能力，适用于需要抑制静电放电及浪涌电压的应用场景。其反向工作电压（VRWM）为110V，在击穿电压（VBR）区间122.00~135.00V内可实现快速响应，并将钳位电压（VC）控制在177V，有效降低瞬态过压对电路的影响，保障系统稳定性和可靠性。