HXY MOSFET(华轩阳电子)China

该双向静电和浪涌保护器件专为电子系统的瞬态电压防护设计。其工作峰值反向电压（VRWM）为10V，击穿电压范围（VBR）为11.10~12.30V，钳位电压（VC）为17V，能够在静电放电或瞬态浪涌发生时快速导通，抑制电压尖峰。最大通流能力（IPP）达176.5A，具备较强的瞬态能量吸收能力，适用于通信模块、消费类电子产品及精密控制单元等场景中的电路保护，有效提升系统稳定性与可靠性。