HXY MOSFET(华轩阳电子)China

本产品为静电和浪涌保护器件（TVS/ESD），适用于对电路可靠性有较高要求的电子设备。其反向工作电压（VRWM）为10V，击穿电压范围（VBR）为11.10~12.30V，钳位电压（VC）为17V，最大峰值脉冲电流（IPP）可达176.5A，具备良好的瞬态过压抑制特性。采用单向（Uni）结构设计，能够在静电放电或电磁干扰导致电压突变时，快速响应并限制电压，保护后级电路免受损坏。该器件广泛应用于通信接口、消费类电子产品及精密控制设备中，提供稳定可靠的电路保护方案。