HXY MOSFET(华轩阳电子)China

该静电和浪涌保护器件采用双向设计，适用于需要高效抑制静电放电和瞬态电压的场景。其工作峰值脉冲电流（IPP）可达18.5A，反向工作电压（VRWM）为100V，击穿电压（VBR）范围为111.00至123.00V，钳位电压（VC）为162V，确保在异常电压条件下提供稳定保护。器件符合双向响应特性，适用于通信接口、消费类电子及精密设备中的电路保护，帮助系统满足电磁兼容性要求，提升整体运行可靠性。