HXY MOSFET(华轩阳电子)China

该静电和浪涌保护器件采用单向设计，具备18.5A的峰值脉冲电流（IPP）能力，可有效吸收瞬态能量。其反向工作电压（VRWM）为100V，在击穿电压（VBR）范围内（111.00~123.00V）能够快速响应过压事件，并将钳位电压（VC）控制在162V，从而保护后级电路免受损害。适用于对电压波动敏感的电子系统，确保设备在复杂电磁环境中的稳定运行。