HXY MOSFET(华轩阳电子)China
【联系：sales@hxymos.com】该肖特基二极管采用独立式配置，额定正向电流为1A，最大反向电压达60V。其正向压降典型值为0.7V，在导通状态下具有较低的功耗表现；反向漏电流为200μA，适用于对能效有一定要求的电路环境。器件可承受高达30A的非重复峰值正向浪涌电流，具备良好的瞬态耐受能力。整体参数组合使其适用于电源整流、极性保护及高频开关等应用场景。
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Key specs
Forward voltage700 mVMax
| Environment and package | |
|---|---|
| 封装 | SOD-123FL |
| Other | |
| IF | 1A |
| IFSM | 30A |
| IR | 200uA |
| VF | 0.7V |
| VR | 60V |
| 二极管配置 | 独立式 |