TDSEMIC(拓电半导体)China
采用GPP工艺芯片，具有低漏电、高对档率等优势 ，有较好的高温特性及稳定性。
All alternatives
View full reportTechnical parameters
Key specs
Reverse standoff voltage7 ~ 12 V
Clamping voltage15 VMax
PolarityBidirectional
| Power | |
|---|---|
| 反向截止电压(Vrwm) | 12V；7V |
| 峰值脉冲电流(Ipp) | 12A |
| 钳位电压 | 15V |
| Other | |
| 极性 | 双向 |