HXY MOSFET(华轩阳电子)China

【联系：sales@hxymos.com】该肖特基二极管采用独立式结构，额定正向电流为2A，最大反向电压为40V。其正向压降低至0.55V，有助于提升能效并减少发热；在反向偏置条件下，漏电流典型值为500μA。器件可承受高达50A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于对效率和响应速度要求较高的电源整流、极性保护及高频开关等电路场合。