HXY MOSFET(华轩阳电子)China
该消费级N沟道MOSFET采用紧凑型SOT-23封装，额定电压30V，提供高达5.8A的大电流处理能力。具备低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电器、电源转换及高功率电子设备中，实现高效能与稳定的功率控制功能。
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Key specs
ChannelN-channel
Drain-source voltage30 V
Continuous drain current5.8 A
On-resistance30 mΩMax · 10V
| Power | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 连续漏极电流(Id) | 5.8A |
| Other | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 30mΩ@10V |
| 数量 | 1个N沟道 |