TDD(台冠电子)China

MOS配置 独立式；沟道类型 N 沟道；漏源击穿电压（Vds) 30V；连续漏极电流（Id) 3.5A；栅极开启电压 (Vgs (th)) 1~3V；导通内阻 (Rds (on))≤60mΩ@Vgs=4.5V；耗散功率 (Pd) 1.25W；工作结温范围 - 55℃~+150℃