HXY MOSFET(华轩阳电子)China
本产品是一款N型场效应管，具有6A的电流承载能力，最高20V的工作电压。其内阻典型值为22mΩ，适用于低电阻、高效率的应用场景。VGS为12V，确保稳定的开关控制。适合用于电源管理、信号放大等多种电子设备中。(SI2300DS-T1-GE3)
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View full reportTechnical parameters
Key specs
ChannelN-channel
Drain-source voltage20 V
Continuous drain current6 A
On-resistance27 mΩMax · 4.5V
| Power | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 20V |
| 连续漏极电流(Id) | 6A |
| Other | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 27mΩ@4.5V,6A |
| 数量 | 1个N沟道 |