HXY MOSFET(华轩阳电子)China

此款碳化硅二极管具有20安培的最大正向电流（IF/A），并能够承受高达1200伏特的反向电压（VR/V），适用于需要高耐压与大电流的应用场景。其正向电压降（VF/V）为1.5伏特，有助于减少导通时的能耗。二极管的反向漏电流（IR/uA）为250微安，表明在阻断状态下具有良好的绝缘性能。同时，它还拥有71安培的瞬态正向浪涌电流（IFSM/A），能够在短时间内承受过载冲击，适合用于要求严苛的电力转换与控制设备中，如高性能开关电源或逆变技术等领域。