HXY MOSFET(华轩阳电子)China

这款碳化硅二极管具有20A的最大连续正向电流（IF/A），并在650V的反向电压（VR/V）下提供稳定的阻断能力。其正向电压（VF/V）为1.3V，有效降低了导通时的电力损耗。二极管的反向漏电流（IR/uA）为40微安，保证了在非导通状态下的低功耗表现。瞬态正向浪涌电流（IFSM/A）可达150A，使其成为高频开关电源和其他要求苛刻的电子设备中的关键组件，适用于需要快速切换与高可靠性的电路设计。