HXY MOSFET(华轩阳电子)China

该肖特基二极管采用独立式结构，额定正向电流为1A，最大反向电压为40V。其典型正向压降为0.55V，在导通状态下可有效降低功耗；反向漏电流为500μA。器件具备30A的非重复峰值正向浪涌电流承受能力，适用于对效率和响应速度有要求的电路。常见于开关电源、便携设备电源管理及高频整流等应用场合，能够在有限空间内提供稳定可靠的整流性能。