HXY MOSFET(华轩阳电子)China

该肖特基二极管为独立式结构，额定正向电流（IF）为1A，最大反向电压（VR）达40V。其正向压降（VF）典型值为0.55V，有助于降低导通损耗；反向漏电流（IR）在最大反向电压下不超过500μA，具备良好的阻断特性。器件可承受高达30A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于对效率和热性能要求较高的电源整流、低压输出转换及高频开关电路等场景。