HXY MOSFET(华轩阳电子)China

该肖特基二极管采用独立式结构，额定正向电流为2A，最大反向电压为40V。其正向压降典型值为0.55V，在导通状态下具有较低的功耗表现；反向漏电流为100μA，体现出良好的阻断特性。器件适用于对效率和热管理要求较高的整流、续流及电源转换场合，凭借低VF与适中的耐压能力，在紧凑型电子系统中可有效提升整体能效与可靠性。