HXY MOSFET(华轩阳电子)China

此款静电与浪涌保护器件（TVS/ESD），具备出色的过压保护性能，适用于各类电子设备。其峰值脉冲电流IPP分别可达18A和15A，确保在瞬时高电流冲击下依然可靠工作。反向工作电压VRWM提供7V和12V两种选择，满足不同电路设计需求。器件的结电容CJ仅为27皮法，有助于减少对信号的影响，保持数据传输的完整性。采用Bi双向TYPE设计，支持双通道保护，能够在正负极性条件下有效防止静电放电及瞬态电压波动，特别适合用于需要高性能保护的接口线路中。