HXY MOSFET(华轩阳电子)China

这款场效应管采用P型设计，适用于高效能应用。其具备1.8A的电流承载能力，能在20V的电压下稳定工作。内阻典型值为120mR，确保较低的能耗。VGS为8V，使得产品在特定栅源电压下导通性能更佳。该元器件因其出色的性能和稳定性，非常适合于电源管理等多种应用场景。