HXY MOSFET(华轩阳电子)China

此款静电和浪涌保护器为双向设计（TYPE: 双向Bi），适用于多种电子设备中以防止因静电放电（ESD）或瞬态电压尖峰（TVS）导致的损坏。该保护器具有8安培的峰值脉冲电流处理能力（IPP/A: 8），并在正常工作电压下可承受最高24伏特（VRWM/V: 24）而不影响电路性能。其电容值为16皮法拉（CJ/pF: 16），在不影响数据传输信号完整性的情况下提供了可靠的保护。此元件设计用于双线配置（LINE: 2），能够有效地保障您的设备免受外部电气干扰的影响。