VBsemi(微碧半导体)China
P9006EDG-VB
Transistors - FETs, MOSFETs - Single台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型金属氧化物半导体场效应晶体管，采用Trench工艺，其高性能和可靠性使其在各种工业和消费电子应用中都能发挥重要作用。TO252；P—Channel沟道,-60V；-30A；RDS(ON)=61mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；
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View full reportTechnical parameters
Key specs
ChannelP-channel
Drain-source voltage60 V
Continuous drain current25 A
| Power | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 60V |
| 连续漏极电流(Id) | 25A |
| Other | |
| 数量 | 1个P沟道 |
| 耗散功率(Pd) | 34W |