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View full reportTechnical parameters
| Power | |
|---|---|
| 最大偏置电流 | 2800pA |
| 最大工作电压 | 36V |
| 最大输出电流 | 35mA |
| 最小工作电压 | 4V |
| 静态工作电流 | 790uA |
| AC and DC characteristics | |
| PSRR电源抑制比 | 130dB |
| 低频电压噪声 | 0.22uVPP |
| 共模抑制比 | 140dB |
| 失调电压温漂系数 | 0.15uV/℃ |
| 工作带宽 | 1MHz |
| 最大失调电压 | 65uV |
| 最大失调电流 | 2800pA |
| 电压噪声密度 | 8nV/√Hz |
| 输出压摆率 | 0.8V/us |
| Environment and package | |
| 封装类型1 | SOIC |
| 最大工作温度 | 125℃ |
| 最小工作温度 | -55℃ |
| Other | |
| EMI滤波 | 0 |
| 使能关断 | 0 |
| 共模输入(与VCC+差值) | -2V |
| 共模输入(与VCC-差值) | 2V |
| 引脚数量1 | 8 |
| 轨到轨输入 | 0 |
| 轨到轨输出 | 0 |
| 输出摆幅(与VCC+差值) | -1.2V |
| 输出摆幅(与VCC-差值) | 0.5V |
| 零漂移特性 | 0 |