VBsemi(微碧半导体)China
MTP23P06VG-VB
Transistors - FETs, MOSFETs - Single台积电流片，长电科技封装；是一款单P通道功率MOSFET，采用Trench工艺制造，适用于电源管理模块、工业自动化模块、通信设备模块等领域。TO220；P—Channel沟道,-60V；-40A；RDS(ON)=62mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；
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View full reportTechnical parameters
Key specs
ChannelP-channel
Drain-source voltage60 V
On-resistance62 mΩMax · 10V
Gate threshold voltage1 VMax
| Power | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 60V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| Other | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 62mΩ@10V,20A |
| 数量 | 1个P沟道 |