HXY MOSFET(华轩阳电子)China
【联系：sales@hxymos.com】该碳化硅二极管采用独立式结构，额定正向电流为15A，最大反向重复电压达650V。其正向压降典型值为1.5V，在高频率工作条件下仍能维持较低的导通损耗。器件可承受高达100A的非重复峰值正向浪涌电流，适用于高效率电源转换、高频整流以及对热稳定性和动态性能有较高要求的电力电子应用。
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Key specs
Forward voltage1.5 VMax
| Environment and package | |
|---|---|
| 封装 | TO-220C-2L |
| Other | |
| IF | 15A |
| IFSM | 100A |
| VF | 1.5V |
| VR | 650V |
| 二极管配置 | 独立式 |