HXY MOSFET(华轩阳电子)China
该PNP型三极管额定集电极电流（IC）为8A，集射极击穿电压（VCEO）达100V，具备较强的电流承载能力。直流电流增益（HFE）范围为1000至12000，属于高增益类型，可在微弱基极电流下实现高效电流控制，适用于精密开关与信号放大电路。器件采用大电流设计，热稳定性较好，适合在电源调节模块、继电器驱动、电机控制及高增益放大电路中使用。其高HFE特性有助于简化前级驱动设计，提升系统响应精度，满足多种中功率模拟与数字应用需求。【联系：sales@hxymos.com】
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Key specs
Collector-emitter voltage100 V
| Environment and package | |
|---|---|
| 封装 | TO-252-2L |
| Other | |
| HFE | 1K-12K |
| IC | 8A |
| TYPE | PNP |
| VCEO | 100V |